日前，国际电气与电子工程师协会（IEEE，The Institute of Electrical and Electronics Engineers）2019年度IEEE Fellow（会士）名单揭晓，我校杰出校友陈星弼院士因对功率超结金属氧化物半导体场效应晶体管的突出贡献当选2019年度IEEE Fellow。
陈星弼，男，1931年出生于上海。微电子学家，教授，博士生导师，1999年当选为中国科学院院士。2001年加入九三学社。1952年毕业于同济大学，同年分配至厦门大学电机系任助教，1953-1956年在南京工学院无线电工程系（现 ）任讲师，1956年响应国家号召赴成都参与援建成都电讯工程学院（现电子科技大学）。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。他是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是原电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且获得第一个博士点。他从1981年起开始对功率半导体器件进行研究，第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。他提出了两类纵向导电的器件新耐压结构，并作了唯一的三维电场分析结果，被国际学术界誉为功率器件的新里程碑。他发表超过170篇论文和40余项中美发明专利，其中著名的超结发明被国际专利他引超过550次；发表著作逾10部，主持完成多项国家重点项目并屡次获得国家奖。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，陈院士于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，是亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月，因发明的超结器件而入选 IEEE ISPSD首届全球名人堂（全球共32位，国内首位）。
IEEE于1963年1月1日成立，是目前全球最大的非营利性专业技术学会。该协会致力于电气、电子、计算机工程和与科学有关的领域的开发和研究，具有广泛的影响，现已发展成为全球最具影响力的国际学术组织之一。协会目前在160多个国家拥有超过40万的会员，IEEE Fellow是该组织授予的最高荣誉，在学术科技界被认定为权威的荣誉和重要的职业成就，每年当选人数不超过IEEE会员总人数的0.1%。 （含2011无线通信技术协同创新中心）的研究人员中现有IEEE Fellow 10名。另据不完全统计，学院校友中有20余位先后当选IEEE Fellow。（孙威 文）
（责任编辑：孙威，审核：李久贤）
